输入电压4.5V~20V
输入耐压22V
充电电流3A
充电方式升降压充电
充电频率500KHZ
同步整流是
电压可调是
电流可调是
NTC带
使能带
MOS管内置是
封装QFN3*4
较少包装5000
特性:
·集成低RDS(on) 功率 MOSFET
·宽输入范围: 4.2V-21.0V, 支持1-4芯电池充电
·全充电电压可以通过外部电阻器进行编程
·率
JW3655E芯片具有多种功能,包括光电转换、时钟恢复、电信号放大、光功率监测等。它的主要应用领域是光通信、数据中心、云计算等领域。该芯片具有高速、低功耗、高可靠性等特点,可以满足不同应用场景的需求。
JW3655E芯片的使用可以提高光通信系统的性能和可靠性,降和功耗,从而推动光通信技术的发展。
JW3655E芯片是一种高速光通信芯片,由美国的光通信芯片设计公司JW化学公司开发。它采用了的SiGe BiCMOS工艺,具有高速、低功耗、低噪声和高灵敏度等特点,可以用于光纤通信、数据中心、云计算、卫星通信和无线通信等领域。
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